나노과학이 발전함에 따라, 전자빔 분석은 더욱 난이도가 높아지고 있습니다 : 전자빔 에너지는 낮아지고 전구체 가스 사용은 증가하여, 고해상도를 유지하는 것은 낮은 탄소 및 탄화수소 오염 수준을 유지하는 것에 달려 있기 때문입니다. 다운스트림 플라즈마 과정은 탄화수소 오염 및 시료 세척 모두를 동시에 빠르고 쉽게 가능케합니다. 일반적인 ‘플라즈마 크리너’에 사용되는 kinetic energy 세척과는 달리, 다운스트림 플라즈마 과정은 아주 부드러운 (사실상 K.E.가 0에 가까운) 화학적 과정입니다. 이 과정은 진공챔버 내부의 탄소 및 탄화수소 제거 방식에 혁명을 불러일으켰습니다.

위에 기술된 플라즈마 세척과정은 대형 챔버 및 심하게 오염된 표면에 대해 효과적입니다. GV10x DS Asher는 뛰어난 오염 제거 효과를 위하여 더욱 높은 O0 및 H0 농도를 이용, 완전 세척까지 기존 장비들의 1/10의 시간밖에 걸리지 않습니다. 그 효과는 소비자들을 통하여 직접 입증되었고, “GV10x를 사용함으로써 전에 걸리던 시간의 1/10 정도의 시간으로 더 균일하고 효율적인 탄화수소 조절을 고용량 chamber에서도 가능하게 되었습니다.”라고 전했습니다.

기존의 cold trapping, nitrogen purging 및 기타 플라즈마 크리너를 이용하여 오염을 완화하던 방식에서 GV10x Downstream Asher의 탄소 오염 제거 능력은 큰 발전을 이룩하였습니다. 더 확장된 출력 및 압력 범위 (10~99 watts 및 2 ~ <0.005 Torr)를 탑재한 GV10x는 SEM, Mas Spec. 그리고 XPS와 같은 분석 장비의 탄소 및 탄화수소 오염조절 분야에서 패러다임의 변화를 불러왔다 해도 과언이 아닙니다.
산소 및 수소 라디칼이 표면 상의 탄소 오염을 기체 형태로 바꾼 후, 단순히 고정시키거나 잠시 가두는 것이 아닌 chamber 외부로 바로 배출되면서 완벽히 오염을 제거합니다. 폴리머 형태의 증착물과 같은 시료에 생성된 물질은 5분 이내의 세척 주기로 제거가 가능합니다. 보통 세척 주기는 비정기적이기 때문에, GV10x DS Asher는 Qwk-Switch™를 설치하여 전자현미경의 hydro-carbon 오염을 낮은 수준으로 유지할 수 있습니다.

ibss Group은 GV10x 플라즈마 소스를 사용하는 데에 필요한 다양한 폼팩터 컨트롤러 또한 제공하고 있습니다. 연구소 환경에서 선호되는 제품들은 Bench Top 컨트롤러와 2U 컨트롤러입니다.

MS 윈도우용 소프트웨어에서부터 터치 스크린까지, 사용자들은 출력을 10부터 99 watts까지 설정, 모니터링, 및 변경할 수 있습니다. Source에 장착된 Variable Constriction valve를 통하여 압력 범위 또한 2 Torr부터 5mTorr까지 선택 가능합니다< GV10x 폭 넓은 압력 범위는 TMP 손상 및 interlock 방해로부터 안전하게 탄화수소 제거를 가능하게 합니다.